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元件参数资料
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参数目录36930
> NJVMJD31CT4G TRANS BIP NPN 3A 100V DPAK-4
型号:
NJVMJD31CT4G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
TRANS BIP NPN 3A 100V DPAK-4
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
NJVMJD31CT4G PDF
标准包装
2,500
系列
-
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
3A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
100V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
1.2V @ 375mA,3A
电流 - 集电极截止(最大)
50µA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
25 @ 1A,4V
功率 - 最大
1.56W
频率 - 转换
3MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
DPAK-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
NJVMJD31CT4G-ND
NJVMJD31CT4GOSTR
查看NJVMJD31CT4G代理商
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